更新时间：2026-08-26 来源：互联网编辑：侯马点击数： 8783311次

车震

国产GPU四小龙之一燧原科技：科创板IPO启动初步询价_我的网站

鲁豫有约

A | 　　当地时间8月23日，半导体行业研究机构SemiAnalysis发文称，NAND闪存制造正从钨转向钼，因为当NAND来到300层以上，钼是必选项。 8月25日消息，燧原科技发布公告称，公司首次公开发行股票并在科创板上市，计划发行4303.5173万股新股，占发行后总股本的10%，发行后总股本约为4.30亿股。

B | 本次发行采用战略配售、网下发行与网上发行相结合的方式进行。其中，初始战略配售数量为860.7034万股，网下初始发行2754.2639万股，网上初始发行688.55万股。

C | 根据时间安排，初步询价日为2026年8月28日，网上及网下申购日均为9月2日。 值得关注的是，燧原科技目前尚未实现盈利。　　SemiAnalysis分析，3D NAND闪存堆叠层数突破300层后，钨字线在电阻、化学兼容性和深孔填充三方面均触及物理极限，钼成为强制替代材料。若上市时仍处于亏损状态，公司将按规定纳入科创板科创成长层。本次发行的保荐机构为中信证券，联席主承销商由国泰海通证券和广发证券共同担任。 燧原科技成立于2018年3月，与摩尔线程、沐曦股份、壁仞科技并称为“国产GPU四小龙”。

D | 三星已于2024年量产，美光2025年跟进，SK海力士计划2026年底推出375层钼工艺产品。

E | 根据招股书上会稿，公司此次拟募集资金60亿元，主要用于第五代和第六代AI芯片系列产品的研发及产业化，以及先进人工智能软硬件协同创新项目。其估计，钼在NAND总产能中的占比将从2025年的中个位数百分比，增长至2027年的约30%。三个募投项目拟投入金额分别约为15.03亿元、11.97亿元和33亿元。　　更进一步的，该机构提出，钼沉积设备将在明年迎来超10亿美元的新增市场。在技术积累方面，截至2025年末，燧原科技已取得境内发明专利313项，累计承担国家级及地方科技攻关项目12项，并参与制定58项AI芯片与智算系统领域的国家及行业标准。　　该机构称，每一次从钨到钼的转换，都意味着需要新的沉积设备。

F | SemiAnalysis估计，仅2027年一年，NAND钼沉积设备的销售额就将超过10亿美元，并随着DRAM和逻辑芯片的跟进，到2030年增长至约20亿美元/年。

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G | 　　受益格局方面，Lam Research（泛林集团）最先获益，TEL（东京电子）紧随其后；AMAT（应用材料）、ASMI（ASM国际）及Naura（北方华创）则更多受益于后续DRAM和逻辑芯片的转型浪潮。SemiAnalysis表示，完整的细分市场层面测算已纳入其前道设备（WFE）模型。

H | 　　钼渗透率在高层数NAND中提升，本质是为延续NAND单位Bit成本下降曲线。　　300层NAND主要在结构上升级，聚焦超高深宽比通道孔刻蚀、多次Stack堆叠、晶圆翘曲控制以及Overlay精度控制。　　375层乃至400层以后，材料亟需升级，因钨字线会因为字线间距通道孔缩小面临RC延迟快速恶化、WF残氟导致介质损伤、漏电失效率提升以及填充缺陷放大的问题。而钼凭借更低电阻率、无氟前驱体及无需阻隔层等优势，有望改善RC性能与器件可靠性，为字线和存储孔缩放提供工艺余量，从而延续高层数NAND的成本下降曲线。　　中银证券表示，SK海力士已完成375层3D NAND生产验证并计划2026年底量产，拟采用钼材料替代钨制作字线，继三星在286层第九代3D NAND中率先导入钼工艺后，两大存储龙头相继切换，钼替代钨趋势确立。　　然而，钼的材料加工更为复杂，因为必须以气体形式输送，且前驱物在室温下为固体，需要加热器以确保流动稳定性。　　基于此，300层以上3D NAND字线由钨切换为钼，并不是简单更换靶材或者更换气体材料，而是前驱体供给、ALD沉积腔体、刻蚀、清洗、尾气处理整套工艺链条的重构，原有钨CVD产线硬件无法直接复用，将直接推动晶圆厂资本开支上行，同时设备、特种材料、零部件均迎来变化。　　爱建证券表示，钼导入本质是一次全流程工艺重构，设备链受益有望沿“沉积及前驱体输送→CMP及清洗→刻蚀→量检测”路径传导，工艺难点由沉积向后处理环节延伸。其中——　　沉积：成熟的WF钨工艺，Mo沉积需重新建立高深宽比结构下的填充与缺陷控制工艺窗口，同时有望减少阻隔层使用，带动沉积设备及配套工艺升级；　　输送：Mo前驱体通常采用低挥发性固态源，与传统WF气态前驱体体系差异较大，需要新增气化装置、温控管路及精密供气系统，以保障前驱体稳定输送；　　CMP：Mo材料的氧化及表面化学特性不同于传统金属体系，需重新开发CMP研磨液和研磨垫，以满足平坦化、去除速率及缺陷控制要求；　　清洗：Mo导入后残留物及氧化物体系发生变化，高深宽比结构下金属残留和污染控制难度提升，有望推动相关湿法清洗设备及配套化学品验证导入；　　刻蚀环节则需重新建立适配钼材料的工艺窗口，且3DNAND层数持续提升下，刻蚀选择性、侧壁形貌控制及层间均匀性要求进一步提高，有望带动相关刻蚀设备升级需求；　　量检测：Mo量产还需新增膜厚均匀性、填充缺陷、金属残留及电学可靠性等监控项目，有望带动薄膜量测、缺陷检测及电性测试等设备需求增长。